Galaxy S10 cu 1TB memorie! Samsung anunta primele memorii eUFS 2.1 de 1TB pentru smartphone.
Samsung Electronics debuteaza saptamana aceasta noua memorie eUFS v2.1 de 1TB dedicate telefoanelor mobile, memorie cu care vor fi echipate anumite variante de smartphone din gama Galaxy S10, telefoane ce vor debuta pe 20 februarie, cu ocazia celebrarii a 10 ani de la lansarea primului telefon mobil Galaxy S (2009).
Practic, Samsung reuseste la niciun an distanta sa dubleze spatiul de stocare destinat telefoanelor mobile dupa ce anul trecut lansase varianta de memorie eUFS v2.1 de 512GB pentru Galaxy S9 si Galaxy Note 9.
Realizat cu ajutorul celei de-a cincea generații V-NAND, noul dispozitiv de stocare flash ofera de 20 de ori mai mult spatiu de stocare decat o memorie interna de 64 GB si o viteza de 10 ori mai mare decat viteza unui card tipic microSD, util pentru a fi folosit in aplicatiile care necesita consum / transfer mare de date.
„Modelul 1TB eUFS va juca un rol esential in a aduce experienta de utilizare de pe notebook-uri la urmatoarea generatie de dispozitive mobile. In plus, Samsung se angajeaza sa asigure un lant de aprovizionare fiabil si productie suficienta pentru a suporta lansarea in timp util a smartphone-urilor viitoare in asa fel incat sa sustinem o crestere accelerata pe piata mobila globala”, a declarat Cheol Choi, vice-presedinte executiv al Memory Sales & Marketing Samsung.
Avand aceeasi dimensiune de 11,5mm x 13,0mm, memoria de 1TB eUFS dubleaza capacitatea versiunii anterioare de 512GB prin combinarea a 16 straturi ale celei mai avansate memorii flash Samsung V1200N (Gb) V-NAND de 512gigabiti si un controller nou dezvoltat. Utilizatorii de smartphone-uri de exemplu, vor putea acum sa stocheze 260 de clipuri video de 10 minute in format 4K UHD (3840×2160), in timp ce 64GB eUFS, care se gaseste pe multe smartphone-uri de ultima generatie, este capabil sa stocheze doar 13 videoclipuri de aceeasi dimensiune.
Dispozitivul 1TB eUFS dispune, de asemenea, de o viteza exceptionala, permitand utilizatorilor sa transfere volum mare de continut multimedia intr-un timp redus semnificativ. Cu pana la 1.000 megabiti pe secunda (MB/s), noul dispozitiv eUFS ofera o viteza de citire secventiala de aproximativ de doua ori mai mare decat cea a unei unitati SSD tipice de 2,5 inci SATA. Acest lucru inseamna ca 5 GB de continut video Full HD poate fi descarcat pe un SSD NVMe in cel mult cinci secunde, adica de 10 ori viteza unui card obisnuit microSD. In plus, viteza de citire aleatorie a crescut cu pana la 38% fata de versiunea de 512GB, ajungand pana la 58.000 IOPS. Viteza de scriere este de 500 de ori mai rapida decat cea a unui card microSD de inalta performanta (100 IOPS), care poate ajunge pana la 50.000 IOPS. Vitezele aleatorii permit fotografierea continua la 960 de cadre pe secunda, astfel ca utilizatorii de smartphone-uri vor profita din plin de caracteristicile camerei de pe flagship-urile de astazi si de maine.
Samsung intentioneaza sa extinda productia celei de-a cincea generatii de 512Gb V-NAND la uzina din Pyeongtaek din Coreea, in prima jumatate a anului 2019, pentru a raspunde cererilor tot mai mari pentru unitatea de 1TB eUFS pe care le primeste de la producatorii de dispozitive mobile din intreaga lume, se arata in comunicatul de presa trimis de Samsung Romania pe adresa redactie noastre.
Comparație a performanței memoriei interne:
| Memorie | Viteză secvențială de citire | Viteză secvențială de scriere | Viteză de citire aleatorie | Viteză de scriere aleatorie |
| Samsung 1TB eUFS 2.1 (Jan. 2019) | 1000MB/s | 260MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| Samsung 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017) | 860MB/s | 255MB/s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Samsung eUFS 2.1 for automotive (Sept. 2017) | 850MB/s | 150MB/s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
| Samsung 256GB UFS Card | 530MB/s | 170MB/s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
| Samsung 256GB eUFS 2.0 | 850MB/s | 260MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Samsung 128GB eUFS 2.0 | 350MB/s | 150MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250MB/s | 125MB/s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250MB/s | 90MB/s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140MB/s | 50MB/s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
